基本信息
姓名: 南瑞华 出生年月：1978.10
学历: 研究生 学位：工学博士
职称: 副教授 ` 职务：无
学院: bat365官网登录入口 联系方式：nanrh@xatu.edu.cn
学习经历
2007年至2013年：西北工业大学 材料学院，材料学 博士
2002年至2005年：西安理工大学 材料学院，材料物理与化学 硕士
1998年至2002年：西安理工大学 材料学院，材料科学与工程 学士
工作经历
2005年至2007年：西安电瓷研究所，技术人员
2013年至2019年：bat365官网登录入口，讲师
2019年至今：bat365官网登录入口，副教授
招生信息
每年招收硕士生2-3名。
教育教学
所属团队：
1.bat365官网登录入口凝固理论与功能材料科研创新团队（2010）
2. 省级材料物理教学团队（2013）
3. 省级精品资源共享课程《冶金传输原理》教学团队（2015）
主讲课程：
材料科学基础，物理化学，普通化学
教学获奖：
1. 半导体单晶制备与发展，2022年bat365官网登录入口科教融合优秀案例三等奖，2022.09, 1/1
2. 基于OBE教育理念的材料科学基础教学模式改革，bat365官网登录入口教学成果二等奖，2019.07，2/5
3. 科学研究范式在材料科学与工程本科专业基础课教学中的迁移融合，bat365官网登录入口教学成果二等奖，2019.07，3/5
研究方向
1. 凝固与晶体生长技术
2. II-VI族化合物半导体晶体材料与器件
3. 有机-无机杂化钙钛矿晶体材料与器件
科研项目
1. 国家自然科学基金（51502234）：CdZnTe晶体的点缺陷及高电阻机制研究，主持，2016.01-2018.12，23.88万元；
2. 陕西省自然科学基础研究计划（2018JM5097）：微观缺陷调控下探测器用碲化镉基晶体材料的生长及电学性能研究，主持，2018.01-2019.12，3万元；
3. 凝固技术国家重点实验室开放基金（SKLSP201410）：CdZnTe晶体的点缺陷研究及对光电性能的影响，主持，2014.07-2016.07，6万元；
4. ***发展部装备预先研究领域基金（809***501）：***压电***研究，参与，2021.12-2022.05，50万元；
5. 国家自然科学基金（51602242）：点缺陷调控的PSN-PMN-PT弛豫铁电单晶晶格结构、电畴与极性疲劳研究，参与，2017.01-2019.12，18万元；
6. 国家自然科学基金（11404251）：气敏金属氧化物半导体纳米球壳的制备和电输运调控，参与，2015.01-2017.12，30万元；
7. 国家自然科学基金（61274081）：深能级陷阱对CdZnTe晶体电学性能及辐射探测器性能的影响，参与，2013.01-2016.12，85万元；
8. 陕西省自然科学基础研究计划（2019JM-414）：纳米异质结球壳在光催化降解中光生载流子分离与迁移能力的调控，2019.01-2020.12，3万元；
9. 陕西省自然科学基础研究计划（2015JQ5142）：尺寸效应和晶体缺陷对Bi基铁电材料光催化性能的影响机制研究，参与，2015.01-2016.12，3万元。
学术成果
1. 大尺寸高质量CH3NH3PbCl3钙钛矿单晶的生长机理、相转变与光学性能, 物理学报(Acta Physica Sinica), 2023, 72(13): 138101, 第一作者
2. Step-controlled growth of MAPbBr3 single crystal and temperature-dependent variations of MA+ cations during nonphase transition, Materials Science in Semiconductor Processing, 2021, 135: 106107, 通讯作者
3. Defect step controlled growth of perovskite MAPbBr3 single crystal, Journal of Materials Science, 2019, 54: 11596-11603, 通讯作者
4. Distribution of microscopic defects in Al-doped CdZnTe, Journal of Materials Science, 2018, 53: 4387–4394, 第一作者
5. Macroscopic effects and microscopic origins of gamma-ray irradiation on In-doped CdZnTe crystal, Journal of Materials Science: Materials in Electronics, 2018, 29: 20462–20469, 第一作者
6. CdZnTe像素探测器的电输运性能, 物理学报(Acta Physica Sinica), 2017, 66(20): 206101, 第一作者
7. Compensation processes in high-resistivity CdZnTe crystals doped with In/Al, Journal of Crystal Growth, 2016, 451: 150–154, 第一作者
8. Relationship between high resistivity and the deep level defects in CZT:In, Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section A, 2013, 705: 32-35, 第一作者
9. Thermally stimulated current spectroscopy applied on de-fect characterization in semi-insulating Cd0.9Zn0.1Te, Journal of Crystal Growth, 2012, 361: 25-29, 第一作者
10. Irradiation-Induced Defects in Cd0.9Zn0.1Te:Al, Journal of Electronic Materials, 2012, 41: 3044-3049, 第一作者
11. Determination of trap levels in CZT:In by thermally stimulated current spectroscopy, Transactions of Nonferrous Metals Society of China, 2012, 22: s148-s152, 第一作者
12. Investigation on defect levels in CdZnTe:Al using ther-mally stimulated current spectroscopy, Journal of Physics D: Ap-plied Physics, 2010, 43: 345104, 第一作者
13. The electrical properties and defect levels of Al doped CdZnTe crystal for detector applications, Proceeding of SPIE, 2009, 7385: 73850U1-73850U7, 第一作者
14. 南瑞华, 武春燕, 王恒, 张曦, 靳长清等, 一种具有择优取向的大尺寸高质量辐射探测器用甲胺基金属卤化物钙钛矿单晶及其制备方法, 2023.04, 发明专利: ZL202210418717.2
15. 南瑞华, 王恒, 申红霞, 王吉, 扈琳等, 一种稀土掺杂辐射探测器用双卤素杂化钙钛矿晶体材料及其制备方法, 2021.12, 发明专利: ZL202110243322.9
16. 魏永星, 闫俊龙, 靳长清, 张华伟, 扈琳, 南瑞华等, 一种具备超高压电常数的弛豫铁电体PNN-PHT的合成方法, 2023.04,发明专利: ZL202210844665.5
17. 魏永星, 张宁, 靳长清, 扈琳, 南瑞华等, 一种具有温度稳定性的BKT基储能电介质材料及其合成方法, 2021.12, 发明专利: ZL202010498252.7
18. 许岗, 郭炎飞, 谷智, 南瑞华, 李高宏等, 一种多晶碘化汞薄膜籽晶层的制备方法, 2016.05, 发明专利: ZL201410082226.0
19. 辐射探测器用X位取代MAPbBr3钙钛矿单晶的生长与应用, 陕西省第六届研究生创新成果展三等奖，2022.12, 1/2（第一指导教师）
20. 辐射探测用碘化汞晶体气相法和溶液法生长机理研究，陕西省高等学校科学技术奖二等奖，2018.03，5/8
